لیزرهای سطح و حفره عمودی مبتنی بر GaN به رنگ آبی و سبز با AlInN / GaN DBR

چکیده

ما یک عملکرد موج پیوسته (CW) دمای اتاق از VCSEL های آبی و سبز تک حالته کلاس میلی وات با DBR های AlInN / GaN epitaxially رشد یافته در لایه های GaN هواپیمای c نشان دادیم. طول موج انتشار و جریان آستانه VCSEL آبی به ترتیب 442.3 نانومتر و 0.40 میلی آمپر بود. بازده پلاگین دیواری VCSEL آبی رنگ 13.6٪ بود که بالاترین مقدار گزارش شده تاکنون است. علاوه بر این ، عملکرد پایدار CW بیش از 1000 ساعت تحت 0.6 میلی وات در 25 درجه سانتیگراد تأیید شده است.   عملکرد لیزینگ در ویفر 2 اینچی با جریان آستانه متوسط ​​1 میلی آمپر بیش از 80 درصد بود. علاوه بر این ، ما همچنین موفق به ارائه VCSEL های سبز با عملکرد بالا شدیم. طول موج انتشار و جریان آستانه VCSEL های سبز به ترتیب 514.9 نانومتر و 2.8 میلی آمپر بود. توان خروجی نوری بیش از 1.5 مگاوات و بازده پلاگین دیواری 3.7٪ بود که بهترین رکورد برای VCSEL های سبز مبتنی بر GaN است. این نتایج امکان استفاده عملی از VCSEL های آبی و سبز را در آینده نزدیک افزایش می دهد.