| ش | ی | د | س | چ | پ | ج |
| 1 | 2 | 3 | 4 | |||
| 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 |
| 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 |
| 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 |
| 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
ادغام اپتو الکترونیکی
به لطف کنتراست بالای شاخص بین سیلیکون و اکسید ، می توان مدارهای ردپای کوچک را با قطر میدان حالت حالت زیر میکرون و شعاع خمش راهنمای موج چند میکرونی طراحی کرد. علاوه بر این ، مواد سیلیکونی قابل یکپارچه سازی نوری الکترونیکی است ، زیرا در حوزه طول موج مخابراتی هم نیمه رسانا است و هم شفاف. فوتونیک سیلیکون همچنین برای افزایش سرعت بیت در هر کانال در همان تراشه با اجرای قالب های چندگانه سازی طول موج و مدولاسیون پیشرفته بسیار مقیاس پذیر است. علاوه بر این ، استفاده از خطوط ساخت میکروالکترونیک CMOS برای PIC های سیلیکونی امکان تولید انبوه با هزینه کم را فراهم می کند. به عنوان مثال ، ساخت ویفرهای SOI با قطر 200 یا 300 میلی متر اندازه گیری عملکرد با حجم بالا را با آزمایش های خودکار سطح ویفر امکان پذیر می کند