ش | ی | د | س | چ | پ | ج |
1 | 2 | 3 | 4 | |||
5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 |
12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 |
19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 |
26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
پیشرفتهای کنونی در فناوریهای نوری به سمت دستگاههای نانومقیاس با ابعاد زیرموج هدایت میشوند که در آن فوتونها در مقیاس نانو دستکاری میشوند. اگرچه نور به وضوح سریع ترین وسیله برای ارسال اطلاعات به و از مقیاس نانو است، اما یک ناسازگاری اساسی بین نور در مقیاس میکرو و دستگاه ها و فرآیندهای در مقیاس نانو وجود دارد. فلزات نانوساختار که از حالتهای پلاسمون سطحی پشتیبانی میکنند، میتوانند میدانهای الکترومغناطیسی (EM) را تا کسر کوچکی از طول موج متمرکز کنند و در عین حال قدرت میدان محلی را با چندین مرتبه قدر افزایش دهند. به همین دلیل، نانوساختارهای پلاسمونیک میتوانند بهعنوان جفتکنندههای نوری در سرتاسر رابط نانو-میکرو عمل کنند: نانوساختارهای فلز-دی الکتریک و فلز-نیمهرسانا میتوانند به عنوان نانوآنتنهای نوری عمل کنند و جفت شدن ماده نوری را در دستگاههای مقیاس نانو تقویت کنند.