لیزرهای فیبر امروز
لیزرهای الیافی امروزه به صورت پیکربندی های مختلف در دسترس هستند. آنها می توانند موج پیوسته (CW) ، سوییچ Q ، حالت قفل شده ، گین-سوئیچ و شبه مداوم موج (QCW) باشند تا چند مورد را فهرست کنند. بیشتر لیزرهای الیاف تک حالت تمایل به CW دارند. لیزرهای QCW یکی از انواع جدیدتر لیزرهای الیافی هستند. وقتی با لیزرهای CW مقایسه می شوند ، لیزرهای QCW هم قدرت پیک بالاتری دارند و هم قدرت متوسط کمتری. لیزرهای QCW هم در انواع تک حالته و هم در حالت چند حالته وجود دارند.
لیزرهای فیبر : به دنبال ظهور آنها از اختراع تا امروز
لیزرهای الیافی نوعی لیزر هستند که معمولاً مورد استفاده قرار می گیرند. این که آیا آنها برای اهداف ارتباطی ، پردازش مواد یا دارو استفاده می شوند ، از آغاز فروتنانه خود راهی طولانی را طی کرده اند. این مقاله به اختراع ، توسعه و در نهایت افزایش لیزرهای الیافی می پردازد.
روندهای فعلی در توسعه لیزرهای نیمه هادی مادون قرمز نزدیک.
تأثیر Parcell بر ساختارهای پلاسما بر اساس مواد فرامادی.
لیزرهای آبشار کوانتومی پالسی قدرتمند از محدوده مادون قرمز متوسط.
لیزرهای نیمه هادی قدرتمند مبتنی بر ساختارهای ناهمسان AlGaInAs / InP. ادامه مطلب ...
توسعه پایگاه های علمی برای ایجاد مواد ناهمگن شیب تابعی عملکردی جدید با مقاومت بالا با استفاده از روش های جوشکاری لیزر و فن آوری های افزودنی.
فن آوری افزودنی و جوشکاری لیزر.
نقش فناوری لیزر در تحول دیجیتال کشتی سازی.
درمان ضربه لیزر آلیاژهای آلومینیوم. ادامه مطلب ...
چکیده
ما گزارش کرده ایم که اخیراً LD های مبتنی بر GaN به رنگ آبی و سبز وات ساخته شده اند. این LD ها با استفاده از رسوب شیمیایی آلی فلز در لایه های GaN صورت c رشد داده می شوند. تراشه لیزر برای سرکوب مقاومت حرارتی با استفاده از روش اتصال به پایین در بسته TO-ø9 mm نصب شد. توان خروجی نوری 455 نانومتر LD های آبی بالاتر از 4.7 W در جریان تزریق 3A به دست آمد. متوسط طول عمر در دمای مورد 65 درجه سانتیگراد زیر 3A بیش از 30،000 ساعت تخمین زده شد. در LD های سبز ، 1 وات کلاس 532 نانومتر LD های سبز همان طول موج لیزر سبز نسل دوم هارمونیک (SHG) ایجاد شده و بازده پلاگین دیواری 12.1٪ بود. و طول موج لیزر طولانی تر تا 537 نانومتر حاصل شد.
چکیده
این مقاله آخرین عملکرد دستگاه دیودهای لیزری آبی و سبز پر مصرف (LD) را گزارش می کند. ساختارهای اپیتاکسیال LD ها از جمله لایه های نوع n ، فعال و نوع p توسط رسوب بخار شیمیایی آلی فلزی (MOCVD) در بسترهای GaN ایستاده هواپیمای C رشد داده شدند. و یک سازه از نوع رج و الکترودهایی از نوع n و p شکل گرفته است. وجوه آینه عقب و جلو با شکاف در سطح صفحه m بدست آمد. ادامه مطلب ...