لیزرهای نیمه هادی

لیزرهای نیمه هادی لیزرها بر پایه محیط فعال لیزری به دست آوردن نیمه هادی هستند، که در آنها، افزایش نوری معمولا توسط انتشار تحریک شده در یک گذار بین باندها در شرایط تراکم حامل در باند هدایت به دست می آید.

بیشتر لیزرهای نیمه هادی دیودهای لیزری هستند که با یک جریان الکتریکی در یک منطقه که در آن مواد نیمه هادی N-doped و P-doped با پمپاژ می شوند. با این حال، لیزرهای نیمه هادی اپتیکی پمپ شده نیز وجود دارد که در آن حاملها از طریق نور پاپ جذب شده و لیزرهای آبشار کوانتومی تولید می شوند.

مواد رایج برای لیزرهای نیمه هادی (و برای دیگر دستگاه های اپتوالکترونیک) هستند :

GaAs (گالسیوم آرسنید)

AlGaAs (گالیم آلیاژ آلومینیوم)

GaP (گالیم فسفید)

InGaP (فسفید گالیم)

GaN (نیترید گالیم)

InGaAs (آنزیم گالیم آرسنید)

GaINNAs (نیترید آرسناید گالیم)

InP (فسفید نامیم)

GaInP (گالیم فسفید انیدیم)