Sepanta Laser Spadan

Sepanta Laser Spadan

شرکت سپنتا لیزر اسپادان سهامی خاص
Sepanta Laser Spadan

Sepanta Laser Spadan

شرکت سپنتا لیزر اسپادان سهامی خاص

نانولیتوگرافی

هنر تولید نانو الکترونیک و دستگاه های نانوفوتونی و سیستم :


اطلاعات تماس شرکت کننده

انتشارات Woodhead در مواد الکترونیکی و نوری

  مقدمه

1: لیتوگرافی طرح نوری

چکیده

1.1 مقدمه

1.2 تکنولوژی لیتوگرافی و روند

1.3 اصول لیتوگرافی نوری

1.4 ارزیابی تصویر

1.5 سیستم های لیتوگرافی پروجکشن

1.6 طول موج برای لیتوگرافی نوری

1.7 لیتوگرافی در اشعه ماوراء بنفش عمیق (UV)

1.8 تکنولوژی افزایش کیفیت

1.9 لیتوگرافی غوطه وری

1.10 لیتوگرافی نوری الگوی چندگانه

1.11 نتیجه گیری

2: لیتوگرافی شدید ماوراء بنفش (EUV)

چکیده

2.1 مقدمه

2.2 منابع EUV

2.3 اپتیک EUV

2.4 جاسوسی EUV

2.5 EUV مقاومت می کند

2.6 اتحادیه اروپا و چالش های اجرایی

2.7 نتیجه گیری و روند آینده

2.8 سپاس

3: لیتوگرافی پرتو الکترونی

چکیده

3.1 مقدمه

3.2 استفاده از موازی پیکسل برای رسیدگی به تنگنای ظرفیت تولید

3.3 توافق بین قطعنامه و پرونده

3.4 سیستم های توزیع شده

3.5 قطعنامه لیتوگرافی نهایی

3.6 الگوریتم الکترونی پرتوهای فوتوماسک برای لیتوگرافی نوری

نتیجه 3.7

3.8 تقدیر و تشکر

4: پرتوهای یون متمرکز برای ماشینکاری نانو و تصویربرداری

چکیده

4.1 مقدمه

4.2 تاریخچه ای از پرتوهای یون متمرکز (FIBs)

4.3 منابع یون ها: یک چهارم انواع

4.4 نوری ذرات شارژ شده

4.5 تعامل یونی ماده

فرزکاری 4.6

4.7 رسوب

4.8 تصویربرداری

4.9 طیف سنجی

4.10 نتیجه گیری و روند آینده

5: ماسک برای میکرو و نانولیتوگرافی

چکیده

5.1 مقدمه

5.2 ماسک مواد

5.3 فرایند ماسک

5.4 معدن شناسی ماسک

5.5 نقص و ماسک

نتیجه 5.6

6: فتولیتوگرافی بی نظیر

چکیده

6.1 مقدمه

6.2 استفاده از فوتونها در مقایسه با ذرات شارژ

6.3 شکل فتولیتوگرافی بی نظیر

6.4 لایتوگرافی منطقه-plate-array (ZPAL)

6.5 اصلاح اثر نزدیک

6.6 گسترش رزولوشن ZPAL

6.7 تجاری سازی ZPAL توسط LumArray، Inc.

6.8 نتیجه گیری

7: شیمی و پردازش مقاومت در برابر نانولیتوگرافی

چکیده

7.1 مقدمه

7.2 مقاومت در برابر لیتوگرافی اپتیکی: سنتز و پرتوی شیمیایی مقاومتی به عنوان تابع تکنیک قرار گرفتن در معرض

7.3 ملاحظات فرایند مقاومت شیمیایی

7.4 مقاومتی شیمیایی برای لایتوگرافی 193 نانومتر تقویت شده است

7.5 مقاومت در برابر لایتوگرافی فرورفته فرابنفش (EUVL)

7.6 مقاومت در برابر لیتوگرافی پرتو الکترونی

7.7 مقاومت در برابر فن آوری های لیتوگرافی پیشرو انتخاب شده است

7.8 محدودیت های قطعنامه در برابر مقاومت

7.9 نتیجه گیری

8: نانولیتوگرافی مونتاژ مستقیم

چکیده

8.1 مقدمه

8.2 کوپلیمرهای بلوکی در لیتوگرافی

8.3 مونتاژ مستقیمی از کوپلیمرهای بلوک

8.4 لیتوگرافی سه بعدی قابل برنامه ریزی

8.5 نتیجه گیری

9: لیتوگرافی Nanoimprint

چکیده

9.1 مقدمه

9.2 یک مرور کلی از لیتوگرافی چاپ

9.3 لیتوگرافی نرم

9.4 لیتوگرافی اثر حرارتی

9.5 فرایندهای جایگزین حرارتی جایگزین

9.6 نمای کلی لیتوگرافی nanoimprint اشعه ماوراء بنفش (UV)

9.7 جت و فلش اثر لیتوگرافی

9.8 لیتوگرافی را به صورت رول اثر می گذارد

9.9 Defectivity

نتیجه گیری 9.10

9.11 سپاسگزاری

10: نانوساختارها: ساخت و کاربرد

چکیده

مقدمه 10.1

10.2 مشخصه نانوساختارها

10.3 روش های ساخت نانوساختارها: تولید نانوساختار از بالا به پایین

10.4 روش های ساخت نانوساختارها: تهیه نانوساختار از بالا به بالا

10.5 خواص نانوساختارها

10.6 کاربرد نانوساختارها

11: نانوفوتونیک: دستگاههایی برای کنترل نور در مقیاس نانو

چکیده

11.1 مقدمه

11.2 بلورهای فوتونی

11.3 راندمان حلقه

11.4 انتقال نوری فوق العاده از طریق دیافراگم طول موج عرضی

11.5 nanoantennas نوری

11.6 تمرکز پلاسمونیک

11.7 میکروسکوپ نوری نزدیک به میدان

11.8 موجبرهای پلاسما

11.9 بهبود فرآیندهای غیر خطی

11.10 کاربرد در فتوولتائیک

11.11 نتیجه گیری

12: Nanodevices: ساخت، چشم انداز برای دستگاه های بعدی و برنامه های کاربردی

چکیده

12.1 مقدمه

12.2 انگیزه برای nanodavices

12.3 Nanofabrication: ساخت بلوک های ساختمان برای دستگاه ها

12.4 چشم انداز دستگاه های کوچک بعدی

12.5 فراتر از پایین به بالا: نانوالکترونیک ترکیبی

12.6 نتیجه گیری و روند آینده

13: Microfluidics: فن آوری ها و برنامه های کاربردی

چکیده

13.1 مقدمه

13.2 روند فعلی میکروویو

13.3 وضعیت کنونی تکنولوژی

13.4 برنامه ها

13.5 روند آینده

نتیجه 13.6

13.7 منابع اطلاعات و مشاوره بیشتر

14: مدلسازی فرایندهای نانولیتوگرافی

چکیده

14.1 مقدمه

14.2 مدل سازی لیتوگرافی نوری

14.3 سیستم نوری در مدل لیتوگرافی نوری

14.4 مدل عکسبرداری

14.5 اندازه گیری بحرانی مدل (CD) استخراج

14.6 مشکل در مدل سازی

14.7 مدل سازی لیتوگرافی پرتوهای پرتو فرابنفش شدید (EUV) / پرتو الکترونی

نتیجه 14.8

15: همبستگی ماسک-بستر از طریق ناحیه مویرهای اینترفرومتریک

چکیده

15.1 مقدمه

15.2 پیشینه روش های هم ترازی

15.3 مبانی فتوشاپ فضایی بین فاز (ISPI)

15.4 اجرای moiré

15.5 ویژگی های شکل گیری حاشیه Moiré

15.6 عملکرد ISPI

15.7 پشت ISPI

15.8 نتیجه گیری و ترنینگ آینده

نظرات 0 + ارسال نظر
امکان ثبت نظر جدید برای این مطلب وجود ندارد.