ش | ی | د | س | چ | پ | ج |
1 | 2 | 3 | 4 | |||
5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 |
12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 |
19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 |
26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
تیمی از محققان از سراسر کشور به سرپرستی الکساندر اسپوت ، دانشگاه کالیفرنیا ، سانتا باربارا ، آمریکا ، اولین لیزر آبشار کوانتومی را بر روی سیلیکون ساخته اند. این پیشرفت ممکن است دارای کاربردهایی باشد که از طیف سنجی پیوند شیمیایی و سنجش گاز گرفته تا نجوم و ارتباطات فضای آزاد.
ادغام لیزرها به طور مستقیم روی تراشه های سیلیکون چالش برانگیز است ، اما از اتصال نور لیزر خارجی به تراشه ها بسیار کارآمدتر و کم حجم تر است. پهنای باند غیرمستقیم سیلیکون ساخت لیزر را از سیلیکون دشوار می کند ، اما لیزرهای دیود را می توان با مواد III-V مانند InP یا GaAs ساخت. با اتصال مستقیم یک لایه III-V در بالای ویفر سیلیکونی و سپس با استفاده از لایه های III-V برای تولید سود برای لیزر ، این گروه یک لیزر چاه کوانتومی متعدد بر روی سیلیکون ادغام کرده است که با سرعت 2 میکرومتر عمل می کند. محدودیت در لیزرهای دیود مانع از رفتن به طول موج های طولانی تر می شود که در آن برنامه های کاربردی بیشتری وجود دارد ، بنابراین این گروه توجه خود را به جای استفاده از لیزرهای آبشار کوانتومی معطوف کردند.