لیزرهای نیمه هادی

لیزرهای نیمه هادی از نیمه هادی به عنوان واسطه بهره استفاده می کنند. بیشتر آنها دیودهای لیزری با پمپ الکتریکی هستند ، جایی که جفت های سوراخ الکترونی با یک جریان الکتریکی در منطقه ای تولید می شوند که مواد نیمه هادی n-doped و p-doped با آنها ملاقات می کنند. با این حال ، لیزرهای نیمه هادی پمپ نوری نیز وجود دارد ، که در آنجا نوری توسط نور پمپ جذب شده تولید می شود.

  

دستگاههای لیزر بر روی ویفرهای نیمه هادی جلا با تکنیک های لیتوگرافی ساخته می شوند. مواد نیمه هادی معمول برای مناطق فعال GaAs ، AlGaAs ، GaP ، InGaP ، GaN ، InGaAs ، InP و GaInP هستند. اینها همه مواد باند باند مستقیم هستند ، زیرا مواد باند باند غیرمستقیم ، مانند سیلیکون ، انتشار نور قابل توجهی نشان نمی دهند.

اگرچه لیزرهای نیمه هادی در اشکال متنوعی وجود دارد ، برخی از جنبه های مهم اهمیت عبارتند از:

پمپاژ برقی با ولتاژ متوسط ​​و راندمان بالا به ویژه برای لیزرهای دیود پرقدرت امکان پذیر است و امکان استفاده از آنها به عنوان مثال منابع پمپ برای لیزرهای با حالت جامد بسیار کارآمد را فراهم می آورد.

طیف گسترده ای از طول موج با دستگاه های مختلف قابل دسترسی است ، بخش اعظمی از منطقه طیفی قابل رویت ، نئورینفرود و میانی را پوشش می دهد. برخی از دستگاه ها امکان تنظیم طول موج را نیز می دهند.

دیودهای لیزر کوچک امکان تغییر سریع و مدولاسیون توان نوری را دارند و استفاده از آنها ، به عنوان مثال ، در فرستنده های پیوند داده های نوری امکان استفاده آنها را فراهم می کند.

چنین ویژگی هایی باعث می شود لیزرهای نیمه هادی مهمترین نوع لیزرها از نظر تکنولوژیکی باشند. کاربردهای آنها بسیار گسترده است و شامل ارتباطات نوری ، ذخیره سازی داده های نوری ، اندازه گیری ، طیف سنجی ، پردازش مواد ، پمپاژ لیزرهای دیگر و معالجات پزشکی است.