لیزرهای نیمه هادی InGaN آبی و سبز به عنوان منابع نوری برای نمایشگرها

چکیده

این مقاله آخرین عملکرد دستگاه دیودهای لیزری آبی و سبز پر مصرف (LD) را گزارش می کند. ساختارهای اپیتاکسیال LD ها از جمله لایه های نوع n ، فعال و نوع p توسط رسوب بخار شیمیایی آلی فلزی (MOCVD) در بسترهای GaN ایستاده هواپیمای C رشد داده شدند. و یک سازه از نوع رج و الکترودهایی از نوع n و p شکل گرفته است. وجوه آینه عقب و جلو با شکاف در سطح صفحه m بدست آمد. 

لیزرهای سطح و حفره عمودی مبتنی بر GaN به رنگ آبی و سبز با AlInN / GaN DBR

چکیده

ما یک عملکرد موج پیوسته (CW) دمای اتاق از VCSEL های آبی و سبز تک حالته کلاس میلی وات با DBR های AlInN / GaN epitaxially رشد یافته در لایه های GaN هواپیمای c نشان دادیم. طول موج انتشار و جریان آستانه VCSEL آبی به ترتیب 442.3 نانومتر و 0.40 میلی آمپر بود. بازده پلاگین دیواری VCSEL آبی رنگ 13.6٪ بود که بالاترین مقدار گزارش شده تاکنون است. علاوه بر این ، عملکرد پایدار CW بیش از 1000 ساعت تحت 0.6 میلی وات در 25 درجه سانتیگراد تأیید شده است.