نانوفوتونیک لیتیوم نیوبات

فناوری مدار مجتمع فوتونی (PIC) پتانسیل بالایی برای عبور از تنگناها در شبکه های فوتونی و اپتوالکترونیکی فعلی دارد. اخیراً ، انقلابی در زمینه فوتونیک لیتیوم نیوبات (LN) مشاهده شده است. طی دهه گذشته ، موجبرهای LN در مقیاس نانو با از دست دادن انتشار 0.01 دسی بل و شعاع انحنا در سطح 100 میکرومتر نشان داده شده است. این انقلاب عمدتاً از دو پیشرفت تکنولوژیکی ، بلوغ فناوری لیتیوم نیوبات بر عایق (LNOI) و نوآوری در روش های نانوساختاری سازه های فوتونی LNOI با کیفیت بالا سود می برد.